快约直播免费版app下载 - 快约直播app大全下载最新版本免费安装软件

東莞市星火太陽能科技股份有限公司

13215150267
星火太陽能和你一起了解更多太陽能資訊
光伏逆變器中的功率器件
返回列表 來源: 微信 發(fā)布日期: 2021.02.28 瀏覽次數(shù):
用于太陽能光伏發(fā)電的系統(tǒng)逆變器(含輸入直流斬波級)的功率半導(dǎo)體器件主要有MOSFET、IGBT、超結(jié)MOSFET。其中MOSFET速度最快,但成本也最高。與此相對的IGBT則開關(guān)速度較慢,但具有較高的電流密度,從而價格便宜并適用于大電流的應(yīng)用場合。超結(jié)MOSFET介于兩者之間,是一種性能價格折中的產(chǎn)品,在實際設(shè)計中被廣為應(yīng)用。概括地說,選用哪類器件取決于成本、效率的要求并兼顧開關(guān)頻率。


如果要求硬開關(guān)在100kHz以上,一般只有MOSFET能夠勝任。在較低頻段如15kHz,如沒有特殊的效率要求,則選擇IGBT。在此之間的頻率,則取決于設(shè)計中對轉(zhuǎn)換效率和成本的具體要求。系統(tǒng)效率和成本之間作為一對矛盾,設(shè)計中將根據(jù)其相應(yīng)關(guān)系對照目標(biāo)系統(tǒng)要求確定最貼近系統(tǒng)要求的元件型號。表1為三種半導(dǎo)體開關(guān)器件的功率損耗,為了便于比較,各參數(shù)均以MOSFET情況作歸一化處理,超結(jié)MOSFET工藝目前沒有超過900V的器件。

表1 常用開關(guān)器件的性能與價格對照表(所有數(shù)字以MOSFET情況歸一化)


除去以上最典型的三類全控開關(guān)器件,業(yè)界還存在像碳化硅二極管和ESBT等基于新材料和新工藝的產(chǎn)品。它們目前的價格還比較高,主要應(yīng)用于對太陽能光伏發(fā)電效率有特殊要求的場合。但隨著生產(chǎn)工藝的不斷進(jìn)步和器件單價的下降,這類器件也將逐步變?yōu)橹髁鳟a(chǎn)品,甚至替代上述的某一類器件。

(1)單相全橋混合器件模塊與三電平混合器件模塊


圖1所示的混合單相全橋功率模塊是專用于光伏單相逆變的產(chǎn)品,配合以單極型調(diào)制方法,每個橋臂的兩只開關(guān)管分別工作在完全相異開關(guān)頻率范圍。以圖1示為例,上管總是在工頻切換通斷狀態(tài),而下管總是在脈寬調(diào)制頻率下動作。根據(jù)這種工作特點,上管選用相對便宜的門極溝道型(Trench)IGBT以優(yōu)化通態(tài)損耗,而下管可選擇非穿通型(NPT)IGBT以減少開關(guān)損耗。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)不但保障了最高系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率還降低了整個逆變設(shè)備的成本。圖2給出了不同器件搭配的轉(zhuǎn)換效率曲線以印證這種功率模塊的優(yōu)越性。可以發(fā)現(xiàn),這種混合器件配置在不同負(fù)載下能實現(xiàn)98%以上的轉(zhuǎn)換效率。


在美高森美的三電平逆變模塊中,也引入了混合器件機(jī)制,充分利用兩端器件開關(guān)頻率遠(yuǎn)高于中間相鄰兩器件。因而APTCV60系列三電平模塊兩端使用超結(jié)MOSFET,中間為IGBT的結(jié)構(gòu),可進(jìn)一步提高效率。

(2)ESBT

ESBT是應(yīng)用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中的一種新型高電壓快速開關(guān)器件,它兼顧了IGBT和MOSFET的優(yōu)點,不僅電壓耐量高于MOSFET,而且損耗小于快速IGBT器件。美高森美即將推向市場的ESBT太陽能升壓斬波器模塊,集成了碳化硅二極管和ESBT,面向5kW~205kW的超高效率升壓應(yīng)用。其電壓耐量為1200V,集電極和發(fā)射極間飽和通態(tài)電壓很低(接近1V),優(yōu)化開關(guān)頻率在30kHz~40kHz之間,可選擇單芯片模塊或雙芯片模塊封裝。實驗表明,這種功率模塊比目前市場上對應(yīng)的IGBT模塊減少40%的損耗。


根據(jù)6kW的參考設(shè)計實驗結(jié)果,此模塊在50%至滿負(fù)載之間,轉(zhuǎn)換效率比最快的IGBT器件要提高至少0.6個百分點。因此,在碳化硅全控器件的價格下降到可接受的范圍之前,對于超高效率的太陽能光伏功率變換應(yīng)用,ESBT將是優(yōu)選開關(guān)器件。

用于 光伏逆變器的功率器件正朝著高溫、高頻、低功耗、高功率容量以及智能化、系統(tǒng)化方向發(fā)展,新結(jié)構(gòu)、新工藝硅基功率器件正不斷出現(xiàn)并逼近硅材料的理論極限,新材料功率半導(dǎo)體器件正不斷走向成熟??梢灶A(yù)期,隨著SPIC的不斷發(fā)展,人們期望已久的第二次電子革命將最終到來。 

全國服務(wù)熱線

13215150267
東莞市星火太陽能科技股份有限公司版權(quán)所有 / 備案號:粵ICP備14057282號-5 /  網(wǎng)站地圖 / 百度統(tǒng)計  技術(shù)支持: 牛商股份