1. 狹義的光致衰減指BO-LID；

2. 不止P型摻硼中有LID現(xiàn)象，P型摻鎵中也有LID現(xiàn)象；

3. BO-LID主要是由于單晶硅在拉棒過程中，無法避免氧元素的滲入，從而氧原子和硼原子結合形成硼氧復合體，從而導致BO-LID現(xiàn)BO-LID的解決方案 在晶體硅電池進入PERC時代之后，BO-LID的影響程度進一步顯現(xiàn)。 PERC電池使用背鈍化技術，增加了長波段入射光子的有效吸收，將電池效率在鋁背場電池結構上提升約1%。然而電池背面產生的光生少數(shù)載流子 （電子） 需要經歷較遠的路徑才可以被正面的PN結有效分離并被電極收集。因此，雖然背鈍化使PERC的效率大幅提升，卻由于硅片本身的BO-LID，使電池的初始光衰增大到了5%以上。

4. 目前多種技術方案均被嘗試應用到BO-LID的降低上。主要走兩種路線，一是降低硼含量 ，但是降低硼含量會 降低PERC電池的效率 ；第二是降低氧含量 ，而降低氧含量的技術會使 硅片成本增加 。另外目前使用摻GA也是一種不錯的選擇，雖然GA在硅中的分凝系數(shù)遠大于硼，也會增加硅片成本，但是由于摻GA硅片的工業(yè)化和量產化，成本已經和摻硼硅片一致。所以， 選用摻GA硅片是降低BO-LID的一種途徑 。

   
   

   但是使用摻鎵硅片不能完全的解決BO-LID，那我們有沒有好的解決BO-LID工業(yè)化的方法呢？

   
   

   好在學術界以及工業(yè)界對于BO-LID的進一步的研究尋找到了BO-LID的工業(yè)化解決方案 。

   
   

   2006年，Konstanz University的Alex Herguth發(fā)現(xiàn)在較高溫度的光照或者使用正向電流，可以使BO-LID經歷衰減-再生的過程，且后續(xù)持續(xù)的光照或者電注入不會使電池的開路電壓下降。這是首次關于LIR現(xiàn)象的報道。由于這一項工作，Alex Herguth獲得了SolarWorld 2006年的Junior Einstein Award.

   
   

在光照或者正向電壓的情況下，BO-LID發(fā)生先衰減再恢復的現(xiàn)象

近幾年來，隨著PERC生產工藝和生產設備的成熟，學術界對于BO-LID光衰解決方案也逐漸實現(xiàn)了工業(yè)化。使用更高的光強，較高的溫度可以縮短LIR工藝的時間，BO-LID的工業(yè)化解決方案包括光注入和電注入兩種方法 。

電注入原理： 使用直接電注入載流子 （反向注入直流電）的方式，使硅體內的氫改變帶電形態(tài)，從而能很好的鈍化衰減的硼氧復合體，使其轉變成穩(wěn)定的再生態(tài)，最終達到抗LID的目的。

電注入原理

光注入原理:  光注入是利用鹵素燈，LED，激光等光源，發(fā)出較高溫度的光照，可以使BO-LID衰減再生，從而起到抗LID的目的。

整體來說，降低BO-LID的方法目前有效的方法有兩種：

1. 使用摻鎵硅片 降低硼氧復合體；

2. 使用電注入、光注入 工業(yè)生產方式，使硼氧復合體得到降低；

我們相信，隨著電池制造設備的國產化，以及BO-LID的工業(yè)化解決方案的實施，能夠使BO-LID衰減降到最低，也相信隨著對BO-LID研發(fā)技術的更新迭代，一定能夠完全解決P型晶硅BO-LID現(xiàn)象，從而給客戶最可靠性的產品！